Impacto de falhas transientes em memórias SRAM em nanotecnologia
DOI:
https://doi.org/10.5753/reic.2020.1751Abstract
Esse trabalho avalia o impacto de falhas transientes induzidos por radiação em cinco topologias de células SRAM: 6T, 8T, 9T, 8T-SER e DICE. A análise explora as características temporais, de dissipação de potência e o limiar de LET durante a operação de armazenamento. As células de memória foram descritas utilizando o modelo preditivo na tecnologia de 16nm. Os resultados mostram o melhor desempenho da célula DICE como a opção mais robusta quanto aos efeitos de radiação. A célula 8T-SER obteve a melhor estabilidade considerando a tolerância ao ruído. Também são apresentados os ganhos na utilização da célula 8T em relação a 6T quando consideradas as métricas de atraso e consumo energético.Downloads
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Published
2020-11-15
Como Citar
Marques, C., Meinhardt, C., & Butzen, P. (2020). Impacto de falhas transientes em memórias SRAM em nanotecnologia. Revista Eletrônica De Iniciação Científica Em Computação, 18(3). https://doi.org/10.5753/reic.2020.1751
Issue
Section
Edição Especial: CTIC/CSBC