Estudo de Transistores pMOS/nMOS SOI MuGFETs Baseado em Simulações Numéricas 2D e Caracterização Elétrica

Authors

  • Isabela Merath Gomide Universidade de São Paulo
  • Sara D. dos Santos Universidade de São Paulo
  • João A. Martino Universidade de São Paulo

Abstract

O foco deste artigo é apresentar uma análise entre transistores de porta dupla para diferentes comprimentos de canal comparando o desempenho de dispositivos pMOS e nMOS. Os principais parâmetros elétricos tais como tensão de limiar, inclinação de sublimiar, transcondutância e DIBL são apresentados. Os resultados foram obtidos comparando a eficiência e o comportamento de tais transistores através de simulações numéricas 2D e caracterização elétrica. Os resultados mostraram que os transistores nMOS com fina espessura do filme de silício apresentam, em relação aos dispositivos pMOS, melhor performance e reduzidos efeitos de canal curto.

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Published

2013-04-17

Como Citar

Gomide, I. M., dos Santos, S. D., & Martino, J. A. (2013). Estudo de Transistores pMOS/nMOS SOI MuGFETs Baseado em Simulações Numéricas 2D e Caracterização Elétrica. Revista Eletrônica De Iniciação Científica Em Computação, 11(4). Recuperado de https://journals-sol.sbc.org.br/index.php/reic/article/view/870

Issue

Section

Concepção de Circuitos e Sistemas Integrados