Estudo de Transistores pMOS/nMOS SOI MuGFETs Baseado em Simulações Numéricas 2D e Caracterização Elétrica

Abstract

O foco deste artigo é apresentar uma análise entre transistores de porta dupla para diferentes comprimentos de canal comparando o desempenho de dispositivos pMOS e nMOS. Os principais parâmetros elétricos tais como tensão de limiar, inclinação de sublimiar, transcondutância e DIBL são apresentados. Os resultados foram obtidos comparando a eficiência e o comportamento de tais transistores através de simulações numéricas 2D e caracterização elétrica. Os resultados mostraram que os transistores nMOS com fina espessura do filme de silício apresentam, em relação aos dispositivos pMOS, melhor performance e reduzidos efeitos de canal curto.