Estudo de Parâmetros Analógicos de Transistores SOI MOSFET de Canal Gradual Submicrométricos

Authors

  • Bruna Cardoso Paz Centro Universitário da FEI
  • Michelly de Souza Centro Universitário da FEI
  • Marcelo A. Pavanello Centro Universitário da FEI

Abstract

O desempenho de transistores SOI de canal gradual (GC) em aplicações analógicas está profundamente relacionado ao desenvolvimento da tecnologia na área da microeletrônica. Superar este desafio requer aperfeiçoar o conhecimento dos parâmetros que caracterizam o dispositivo e confirmar se seu desempenho permanece superior aos transistores uniformemente dopados. O presente estudo traz uma comparação entre transistores SOI submicrométricos convencionais (uniformemente dopados) e GC SOI nMOSFETs com diferentes comprimentos de canal e razão LLD/L. A tensão de limiar, inclinação de sublimiar, máxima transcondutância, condutância de saída, ganho intrínseco de tensão e freqüência de ganho unitário foram usados para esta análise.

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Published

2013-04-17

Como Citar

Paz, B. C., de Souza, M., & Pavanello, M. A. (2013). Estudo de Parâmetros Analógicos de Transistores SOI MOSFET de Canal Gradual Submicrométricos. Revista Eletrônica De Iniciação Científica Em Computação, 11(4). Recuperado de https://journals-sol.sbc.org.br/index.php/reic/article/view/871

Issue

Section

Concepção de Circuitos e Sistemas Integrados